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MMFTN6195K

更新时间： 2024-11-28 14:54:39

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN6195K 数据手册

MMFTN6195K

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low on-resistance

• Low Input capacitance

• Fast switching speed

• Low Input/output leakage

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Classification Voltage Range(V)

Source

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Motor control

• Power management functions

• Backlighting

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

380

1.2

Peak Drain Current, Pulsed

Power Dissipation

t = 10 μs

I_DM

370 ¹⁾

P_D

540 ²⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

338 ¹⁾

231 ²⁾

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 06/07/2023 Rev:03

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