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MMFTN6140-AH

更新时间： 2024-11-25 14:53:51

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN6140-AH 数据手册

MMFTN6140-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 20

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

0.7 ²⁾

1.3 ³⁾

Power Dissipation

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.

℃/W

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

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Dated: 17/05/2022 Rev:01

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