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MMFTN6086D-AH

更新时间： 2024-11-28 14:55:35

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN6086D-AH 数据手册

MMFTN6086D-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 20

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_tot

1.1

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

113

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 22/02/2023 Rev:01

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