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MMFTN5026KE

更新时间： 2024-11-25 14:52:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN5026KE 数据手册

MMFTN5026KE

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Drain

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

Drain Current

I_D

I_DM

280

1.2

Peak Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

P_D

150

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_J,T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 18/08/2023 Rev:04

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