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MMFTN3406

更新时间： 2024-11-25 14:54:27

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN3406 数据手册

MMFTN3406

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

Source

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DSS

V_GS

I_D

± 20

Continuous Drain Current

3.6

Drain Current - Pulsed ¹⁾

I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

1.4

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 10 s.

℃/W

1 / 6

Dated: 08/12/2021 Rev:03

12 3 4 5 6

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