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MMFTN3400-AH

更新时间: 2024-11-06 14:55:43
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先科 - SWST /
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6页 422K
描述
小信号金氧半電晶體

MMFTN3400-AH 数据手册

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MMFTN3400-AH  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Drain  
Features  
• AEC-Q101 Qualified  
• Surface-mounted package  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Gate  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-23 Plastic Package  
Source  
Applications  
• Portable appliances  
• Battery management  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter Symbol  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
VDS  
VGS  
ID  
30  
± 12  
V
5.8  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
Power Dissipation 2)  
IDM  
30  
A
PD  
1.4  
W
t 10 s  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
Unit  
t 10 s  
Steady State  
90  
125  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
/W  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)  
.
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.  
®
1 / 6  
Dated: 10/07/2023 Rev:01  

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