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MMFTN3324K

更新时间： 2024-11-28 14:54:27

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN3324K 数据手册

MMFTN3324K

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Classification

Voltage Range(V)

Gate

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 12

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_tot

T_j

℃

Max Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

125

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 07/09/2023 CL Rev:02

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