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MMFTN316

更新时间： 2024-11-10 14:53:39

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN316 数据手册

MMFTN316

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Drain

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

V_GS

± 20

Drain Current - Continuous

T_a= 25℃

T_a= 70℃

1.4

1.1

I_D

5.6

0.5

Drain Current - Pulsed

Total Power Dissipation

T =

25℃

P_tot

℃

T_a= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

250

Unit

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Performed on 40mm2 FR4 PCB. The traces are 1mm wide, 70μm thick and 20mm long; they are present on both sides of the PCB.

Dated: 13/03/2019 CL Rev : 01

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