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MMFTN3134KW

更新时间： 2024-11-10 14:53:43

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN3134KW 数据手册

MMFTN3134KW

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

Gate

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Source

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 10

750

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

200

P_D

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

℃

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 27/07/2023 Rev:04

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