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MMFTN3127KW

更新时间： 2024-11-25 14:55:27

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN3127KW 数据手册

MMFTN3127KW

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Extremely low threshold voltage

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1A

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Parameter

± 12

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

350 ²⁾

P_D

Power Dissipation

500 ³⁾

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

357 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

250 ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 03/08/2023 Rev:04

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