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MMFTN3070K

更新时间： 2024-11-10 14:54:43

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN3070K 数据手册

MMFTN3070K

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Classification

Voltage Range(V)

< 125

Gate

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 20

4.2

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

0.6 ²⁾

Power Dissipation

P_D

1.3 ³⁾

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_j, T_stg

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

208 ²⁾

90 ³⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t ≤ 10 s.

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Dated: 02/03/2021 CL Rev:01

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