5秒后页面跳转
MMFTN3070K PDF预览

MMFTN3070K

更新时间: 2024-11-10 14:54:43
品牌 Logo 应用领域
先科 - SWST /
页数 文件大小 规格书
6页 1261K
描述
小信号金氧半電晶體

MMFTN3070K 数据手册

 浏览型号MMFTN3070K的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMFTN3070K的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMFTN3070K的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMFTN3070K的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMFTN3070K的Datasheet PDF文件第6页 
MMFTN3070K  
N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• Typical ESD Protection HBM Class 1B  
Classification  
Voltage Range(V)  
< 125  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
Gate  
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
Source  
SOT-23 Plastic Package  
3A  
3B  
Applications  
• Portable appliances  
• Battery management  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
VDS  
VGS  
ID  
± 20  
4.2  
V
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
IDM  
30  
A
0.6 2)  
Power Dissipation  
PD  
W
1.3 3)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to + 150  
Tj, Tstg  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
Unit  
208 2)  
90 3)  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
/W  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX) = 150°C.  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad.  
3) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t 10 s.  
1 / 6  
®
Dated: 02/03/2021 CL Rev:01  

与MMFTN3070K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMFTN3127KW SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN3134KDW SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN3134KW SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN3154KDE SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN3154KDE-AH SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN316 SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN3210WP SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN3324K SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN3400 SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體
MMFTN3400-AH SWST

获取价格

小信号金氧半電晶體