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MMFTN3052W

更新时间： 2024-11-25 14:53:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN3052W 数据手册

MMFTN3052W

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low On-Resistance

• Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

Gate

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

Applications

• DC-DC Converters

• Power Management Functions

• Battery Operated Systems and Solid-State Relays

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 12

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

770

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

162

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 01/03/2023 Rev:02

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