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MMFTN3019KE

更新时间： 2024-11-25 14:54:15

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN3019KE 数据手册

MMFTN3019KE

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low voltage drive makes this device ideal

for portable equipment

Gate

• Drive circuits can be simple

• Parallel use is easy

Source

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified

)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

100

℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Total Power Dissipation ²⁾

I_DM

500

P_tot

T_j

150

Max Operating Junction temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾P_W≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %, limited T_j(max)= 150℃.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 23/08/2023 Rev:05

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