MMFTN3018W

更新时间： 2024-11-24 10:51:51

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号场效应晶体管光电二极管 IOT
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描述
Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor

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MMFTN3018W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.74	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMFTN3018W 数据手册

MMFTN3018W

Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor

Silizium N-Kanal MOS Feldeffekt-Transistor

Version 2011-01-28

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

SOT-323

2^±0.1

1^±0.1

Plastic case

0.3

Kunststoffgehäuse

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = G 2 = S 3 = D

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMFTN3018W

60 V

Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung

G short

V_DSS

V_GSS

P_tot

I_D

Gate-Source-voltage Continuos – Gate-Source-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

± 20 V

200 mW ¹)

Drain current continuos – Drainstrom (dc)

Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom

100 mA

I_DM

400 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

150°C

-55…+150°C

Device mounted on standard PCB material

Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial

http://www.diotec.com/

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