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MMFTN3008KW

更新时间： 2024-11-25 14:55:15

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN3008KW 数据手册

MMFTN3008KW

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low threshold voltage

• Typical ESD Protection HBM Class 1C

Voltage

< 125

Classification

Gate

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1.Gate 2.Source 3.Drain

SOT-323 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

± 8

Continuous Drain Current

350

Pulsed Drain Current ¹⁾

I_DM

P_D

1.4

Power Dissipation ²⁾

260

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

480

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 14/09/2022 Rev:03

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