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MMFTN290KDE-AH

更新时间： 2024-11-07 14:56:03

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN290KDE-AH 数据手册

MMFTN290KDE-AH

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Very fast switching

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

Q1: 1.Source 2.Gate 6.Drain

Q2: 4.Source 5.Gate 3.Drain

SOT-563 Plastic Package

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Relay driver

• Low-side loadswitch

• High-speed line driver

• Switching circuits

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 8

800

Peak Drain Current, Pulsed

Power Dissipation

tp ≤ 10 µs

I_DM

3.2

330 ¹⁾

390 ²⁾

P_D

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_j

℃

T_stg

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

380 ¹⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

320 ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 28/08/2023 Rev:04

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