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MMFTN290KBP

更新时间： 2024-11-25 14:54:07

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN290KBP 数据手册

MMFTN290KBP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low Threshold Voltage

• Very Fast Switching

Gate

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Source

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified

)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 8

Peak Drain Current (at tp ≤ 10 µs)

I_DM

360 ¹⁾

Power Dissipation

P_D

715 ²⁾

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

- 65 to + 150

T_j

℃

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

360 ¹⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

175 ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 12/07/2023 Rev:05

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