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MMFTN2530ZK

更新时间： 2024-11-25 14:55:31

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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTN2530ZK 数据手册

MMFTN2530ZK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Power management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

V_DS

V_GS

I_D

± 20

2.5

I_DM

P_D

T_j

℃

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

125

℃

1 / 6

Dated: 27/06/2023 CL Z Rev:01

12 3 4 5 6

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