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MMFTN2500KHP

更新时间： 2024-11-06 14:55:07

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN2500KHP 数据手册

MMFTN2500KHP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low On-Resistance

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

Gate

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Source

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 8

Steady State

t < 10 s

810

950

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

℃

460

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

272

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated：14/07/2023 Rev:02

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