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MMFTN2308-AH

更新时间： 2024-11-06 14:55:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN2308-AH 数据手册

MMFTN2308-AH

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current

1.9

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

1.1

℃

T_j

- 55 to + 150

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

115

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤10 s.

℃

1 / 6

Dated: 25/05/2022 Rev:01

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