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MMFTN2306

更新时间： 2024-11-25 14:55:51

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN2306 数据手册

MMFTN2306

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

Source

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

V_GS

±12

I_D

I_DM

P_D

1.38

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Unit

Max.

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 10 s.

℃

1 / 6

Dated: 16/02/2022 Rev:05

12 3 4 5 6

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