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MMFTN2304

更新时间： 2024-11-21 14:55:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN2304 数据手册

MMFTN2304

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Advanced trench cell design

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

± 20

Drain Current - Continuous

Drain Current - Pulsed ¹⁾

3.3

I_DM

Total Power Dissipation ²⁾

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

350

℃

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 26/06/2023 Rev:04

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