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MMFTN2302A-AH

更新时间： 2024-11-06 14:55:43

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小信号金氧半電晶體

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MMFTN2302A-AH 数据手册

MMFTN2302A-AH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Advanced trench cell design

• Extremely low threshold voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 8

2.8

Peak Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

P_D

1.25

℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

100

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 18/05/2023 Rev:01

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