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MMFT3055VLT1 PDF预览

MMFT3055VLT1

更新时间： 2024-11-11 14:53:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 86K
描述
1500mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN

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MMFT3055VLT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-261AA包装说明：CASE 318E-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：60 pF
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMFT3055VLT1 数据手册

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MMFT3055VL  
Power MOSFET  
1 Amp, 60 Volts  
N–Channel SOT–223  
These Power MOSFETs are designed for low voltage, high speed  
switching applications in power supplies, converters and power motor  
controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits  
where diode speed and commutating safe operating areas are critical  
and offer additional safety margin against unexpected voltage  
transients.  
http://onsemi.com  
1 AMPERE  
60 VOLTS  
• Avalanche Energy Specified  
R
= 140 mW  
DS(on)  
• I  
and V Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
N–Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Drain–to–Gate Voltage (R  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DSS  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
60  
GS  
G
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
V
± 15  
± 20  
Vdc  
Vpk  
GS  
S
– Non–repetitive (t ≤ 10 ms)  
V
GSM  
p
Drain Current – Continuous  
Drain Current – Continuous @ 100°C  
Drain Current – Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
I
1.5  
1.2  
5.0  
Adc  
D
D
MARKING  
DIAGRAM  
I
Apk  
p
DM  
Total PD @ T = 25°C mounted on 1″ sq.  
Drain pad on FR–4 bd material  
P
D
2.1  
Watts  
A
4
Total PD @ T = 25°C mounted on  
0.70″ sq. Drain pad on FR–4 bd material  
1.7  
A
TO–261AA  
CASE 318E  
STYLE 3  
TBD  
LWW  
Total PD @ T = 25°C mounted on min.  
0.94  
6.3  
1
A
2
Drain pad on FR–4 bd material  
3
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
J stg  
–55 to  
175  
L
WW  
= Location Code  
= Work Week  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy – Starting T = 25°C  
J
(V  
= 25 Vdc, V  
= 5.0 Vdc, Peak  
58  
PIN ASSIGNMENT  
DD  
GS  
= 3.4 Apk, L = 10 mH, R = 25 Ω )  
I
L
G
4
Drain  
Thermal Resistance  
°C/W  
– Junction to Ambient on 1″ sq. Drain  
pad on FR–4 bd material  
– Junction to Ambient on 0.70″ sq. Drain  
pad on FR–4 bd material  
– Junction to Ambient on min. Drain pad  
on FR–4 bd material  
R
R
R
70  
88  
θJA  
θJA  
θJA  
159  
1
2
3
Gate Drain Source  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10  
seconds  
T
L
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
MMFT3055VLT1  
MMFT3055VLT3  
SOT–223 1000 Tape & Reel  
SOT–223 4000 Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 2  
MMFT3055VL/D  
1234567...12

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MMFT3055VLT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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