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MMDTC114EE

更新时间： 2024-09-09 14:52:31

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数字三极管

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MMDTC114EE 数据手册

MMDTC114EE

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

• With built-in bias resistors

Base

(Input)

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

V_CEO

V_I

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Input Voltage

- 10 to + 40

100

Collector Current

I_C

Power Dissipation

P_tot

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

833

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated：17/01/2022 Rev：03

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