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MMDTC1104E

更新时间： 2024-09-09 14:53:27

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数字三极管

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MMDTC1104E 数据手册

MMDTC1104E

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

• With built-in bias resistors

Base

(Input)

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

Value

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current

100

Power Dissipation

P_tot

T_j

100

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

1250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated :02/08/2023 Rev:04

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