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MMDT5215W-AH

更新时间: 2024-11-15 14:52:23
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先科 - SWST /
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14页 3190K
描述
数字三极管

MMDT5215W-AH 数据手册

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MMDT5210W…MMDT521ZW-AH  
NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors  
Collector  
(Output)  
Features  
R1  
• AEC-Q101 Qualified  
Base  
(Input)  
R2  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Emitter  
(Common)  
Resistance Values  
Type  
R1 (KΩ)  
47  
R2 (KΩ)  
Type  
R1 (KΩ)  
47  
R2 (KΩ)  
10  
MMDT5210W  
MMDT5211W  
MMDT5212W  
MMDT5213W  
MMDT5214W  
MMDT5215W  
MMDT5216W  
MMDT5217W  
MMDT5219W  
-
MMDT521DW  
MMDT521EW  
MMDT521FW  
MMDT521KW  
MMDT521LW  
MMDT521MW  
MMDT521NW  
MMDT521TW  
MMDT521VW  
MMDT521ZW  
10  
10  
22  
47  
47  
-
47  
22  
22  
4.7  
10  
10  
47  
4.7  
4.7  
47  
10  
4.7  
2.2  
4.7  
22  
10  
4.7  
22  
-
47  
-
47  
1
10  
2.2  
4.7  
2.2  
22  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25  
Parameter  
)
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
VIN  
Value  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Input Voltage  
50  
50  
6
V
V
- 10 to + 40  
100  
V
Collector Current  
IC  
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Ptot  
200  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
625  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 14  
Dated: 05/06/2023 Rev: 06  

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