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MMDT511LW-AH

更新时间: 2024-11-15 14:50:31
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先科 - SWST /
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13页 3674K
描述
数字三极管

MMDT511LW-AH 数据手册

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MMDT5110W~MMDT511ZW-AH  
PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistos  
Collector  
(Output)  
Features  
R1  
Base  
(Input)  
• AEC-Q101 Qualified  
R2  
Halogen and Antimony Free(HAF),  
RoHS compliant  
Emitter  
(Common)  
Resistance Values  
Type  
R1 (KΩ)  
47  
R2 (KΩ)  
Type  
R1 (KΩ)  
47  
R2 (KΩ)  
10  
MMDT5110W  
MMDT5111W  
MMDT5112W  
MMDT5113W  
MMDT5114W  
MMDT5115W  
MMDT5116W  
MMDT5117W  
MMDT5119W  
-
MMDT511DW  
MMDT511EW  
MMDT511FW  
MMDT511HW  
MMDT511LW  
MMDT511MW  
MMDT511NW  
MMDT511TW  
MMDT511VW  
MMDT511ZW  
10  
10  
22  
47  
47  
-
47  
22  
22  
4.7  
2.2  
4.7  
2.2  
4.7  
22  
10  
47  
10  
10  
4.7  
47  
10  
4.7  
22  
-
47  
-
47  
1
10  
2.2  
4.7  
2.2  
22  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25  
Parameter  
)
Symbol  
-VCBO  
-VCEO  
-IC  
Value  
50  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Collector Current  
50  
V
100  
200  
150  
mA  
mW  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Ptot  
Tj  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
625  
Unit  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 1)  
1)  
Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
Dated: 13/10/2022 Rev:03  
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