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MMDT3906 PDF预览

MMDT3906

更新时间： 2024-11-03 18:09:15
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
5页 257K
描述
Package / Case : SOT-363;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.2 W;Transistor Polarity : PNP;VCEO : 40 V;VCBO : 40 V;VEBO : 5 V;Max Collector Current : 0.2 A;DC Collector/Base Gain hfe Min : 60;DC Current Gain hFE Max : 300

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MMDT3906 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

MMDT3906 数据手册

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MMDT3906  
DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)  
ꢁꢔꢇꢕꢖꢗꢖꢏ  
FEATURES  
Epitaxial planar die construction  
ꢀ
g
gIdeal for low power amplification and switching  
MARKING:K3N  
MAXIMUM RATINGS(Tꢀ=25ꢀꢀ unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-40  
-40  
-5  
-0.2  
0.2  
Units  
V
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
PC  
W
Thermal Resistance. Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
RꢀJA  
TJ  
Tstg  
625  
150  
-55-150  
ꢀ/W  
ꢀ
ꢀ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25ꢀunless otherwise specified)  
ꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢈꢉꢊ ꢋꢅꢌꢍꢎꢊꢎꢅꢌꢉ ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢏꢐꢎꢌ  
Parameter  
ꢇꢂꢑ  
ꢐꢀꢒꢏꢏꢏꢏꢏꢏꢏꢏꢓꢌꢎꢊ  
V(BR)CBO IC=-10ꢀA,IE=0  
V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0  
V(BR)EBO IE=-10ꢀA,IC=0  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
-40  
-40  
-5  
V
V
V
nA  
nA  
ICEX  
IEBO  
VCE=-30V,VEB(OFF)=-3V  
VEB=-5V,IC=0  
-50  
-50  
Base cut-off current  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
hFE(5)  
VCE=-1V,IC=-0.1mA  
VCE=-1V,IC=-1mA  
VCE=-1V,IC=-10mA  
VCE=-1V,IC=-50mA  
VCE=-1V,IC=-100mA  
60  
80  
100  
60  
DC current gain  
300  
30  
VCE(sat)1 IC=-10mA,IB=-1mA  
VCE(sat)2 IC=-50mA,IB=-5mA  
VBE(sat)1 IC=-10mA,IB=-1mA  
VBE(sat)2 IC=-50mA,IB=-5mA  
-0.25  
-0.4  
-0.85  
-0.95  
V
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
-0.65  
250  
V
fT  
Cob  
NF  
td  
VCE=-20V,IC=-10mA,f=100MHz  
VCB=-5V,IE=0,f=1MHz  
VCE=-5V,Ic=-0.1mA,f=1ꢁHz,Rg=1Kꢁ  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Noise figure  
Delay time  
Rise time  
MHz  
pF  
dB  
nS  
nS  
nS  
nS  
4.5  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ4ꢀ  
35  
35  
225  
VCC=-3V, VBE=0.5V  
IC=-10mA , IB1=-IB2=-1mA  
tr  
tS  
Storage time  
Fall time  
VCC=-3V, IC=-10mA  
IB1=-IB2=- 1mA  
tf  
75  
2018-03/02  
REV:O  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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