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MMDT3906

更新时间： 2024-11-30 18:09:15

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RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
5页	257K
描述
Package / Case : SOT-363;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.2 W;Transistor Polarity : PNP;VCEO : 40 V;VCBO : 40 V;VEBO : 5 V;Max Collector Current : 0.2 A;DC Collector/Base Gain hfe Min : 60;DC Current Gain hFE Max : 300

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MMDT3906 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

MMDT3906 数据手册

MMDT3906

DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)

ꢁꢔꢇꢕꢖꢗꢖꢏ

FEATURES

Epitaxial planar die construction

ꢀ

gIdeal for low power amplification and switching

MARKING:K3N

MAXIMUM RATINGS(T_ꢀ=25ꢀꢀ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

-40

-5

-0.2

0.2

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

P_C

Thermal Resistance. Junction to Ambient Air

Junction Temperature

Storage Temperature

R_ꢀJA

T_J

T_stg

625

150

-55-150

ꢀ/W

ꢀ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25ꢀunless otherwise specified)

ꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

ꢇꢈꢉꢊ ꢋꢅꢌꢍꢎꢊꢎꢅꢌꢉ ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢏꢐꢎꢌ

Parameter

ꢇꢂꢑ

ꢐꢀꢒꢏꢏꢏꢏꢏꢏꢏꢏꢓꢌꢎꢊ

V_(BR)CBOI_C=-10ꢀA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-10ꢀA,I_C=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-40

-5

I_CEX

I_EBO

V_CE=-30V,V_EB(OFF)=-3V

V_EB=-5V,I_C=0

-50

Base cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3)

h_FE(4)

h_FE(5)

V_CE=-1V,I_C=-0.1mA

V_CE=-1V,I_C=-1mA

V_CE=-1V,I_C=-10mA

V_CE=-1V,I_C=-50mA

V_CE=-1V,I_C=-100mA

100

DC current gain

300

V_CE(sat)1I_C=-10mA,I_B=-1mA

V_CE(sat)2I_C=-50mA,I_B=-5mA

V_BE(sat)1I_C=-10mA,I_B=-1mA

V_BE(sat)2I_C=-50mA,I_B=-5mA

-0.25

-0.4

-0.85

-0.95

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

-0.65

250

f_T

C_ob

t_d

V_CE=-20V,I_C=-10mA,f=100MHz

V_CB=-5V,I_E=0,f=1MHz

V_CE=-5V,I_c=-0.1mA,f=1ꢁHz,R_g=1Kꢁ

Transition frequency

Collector output capacitance

Noise figure

Delay time

Rise time

MHz

4.5

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ4ꢀ

225

V_CC=-3V, V_BE=0.5V

I_C=-10mA , I_B1=-I_B2=-1mA

t_r

t_S

Storage time

Fall time

V_CC=-3V, I_C=-10mA

I_B1=-I_B2=- 1mA

t_f

2018-03/02

REV:O

12 3 4 5

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