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MMDT3906 PDF预览

MMDT3906

更新时间： 2024-11-30 14:54:31
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
4页 1221K
描述
SOT-363

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MMDT3906 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.53
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
最小直流电流增益 (hFE)：30最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

MMDT3906 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors  
DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)  
MMDT3906  
SOT-363  
FEATURES  
Epitaxial planar die construction  
·
·Ideal for low power amplification and switching  
MARKING:K3N  
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Value  
-40  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
-40  
V
-5  
V
Collector Current -Continuous  
-0.2  
0.2  
A
Collector Power Dissipation  
PC  
W
Thermal Resistance. Junction to Ambient Air  
RθJA  
625  
℃/W  
TJ,Tstg  
℃
Operation Junction and Storage Temperature Range  
-55~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃unless otherwise specified)  
Symbol  
Test conditions  
Min  
-40  
-40  
-5  
Parameter  
Typ  
Max  
Unit  
V
V(BR)CBO IC=-10μA,IE=0  
V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0  
V(BR)EBO IE=-10μA,IC=0  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
V
ICEX  
IEBO  
VCE=-30V,VEB(OFF)=-3V  
-50  
-50  
nA  
nA  
VEB=-5V,IC=0  
Base cut-off current  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
hFE(5)  
VCE=-1V,IC=-0.1mA  
VCE=-1V,IC=-1mA  
VCE=-1V,IC=-10mA  
VCE=-1V,IC=-50mA  
VCE=-1V,IC=-100mA  
60  
80  
DC current gain  
100  
60  
300  
30  
VCE(sat)1 IC=-10mA,IB=-1mA  
VCE(sat)2 IC=-50mA,IB=-5mA  
VBE(sat)1 IC=-10mA,IB=-1mA  
VBE(sat)2 IC=-50mA,IB=-5mA  
-0.25  
-0.4  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
-0.65  
250  
-0.85  
-0.95  
V
V
fT  
Cob  
NF  
td  
VCE=-20V,IC=-10mA,f=100MHz  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Noise figure  
MHz  
pF  
dB  
nS  
nS  
nS  
nS  
VCB=-5V,IE=0,f=1MHz  
4.5  
4
VCE=-5V,Ic=-0.1mA,f=1KHz,Rg=1KΩ  
Delay time  
35  
35  
225  
75  
V
CC=-3V, VBE=0.5V  
IC=-10mA , IB1=-IB2=-1mA  
tr  
Rise time  
tS  
Storage time  
VCC=-3V, IC=-10mA  
IB1=-IB2=- 1mA  
tf  
Fall time  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.0  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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