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MMDT2227 PDF预览

MMDT2227

更新时间： 2024-11-24 14:54:31
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
4页 1082K
描述
SOT-363

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MMDT2227 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
最大集电极电流 (IC)：0.2 A最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

MMDT2227 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors  
DUAL TRANSISTOR (NPN+PNP)  
MMDT2227  
SOT-363  
FEATURE  
z
Epitaxial planar die construction  
z
One 2222A NPN  
One 2907A PNP  
z
Ideal for power amplification and switching  
MARKING: K27  
NPN 2222A  
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Units  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
75  
V
40  
V
6
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
600  
200  
mA  
mW  
PC  
Operation Junction and  
Storage Temperature Range  
℃
TJ,Tstg  
-55~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test conditions  
IC= 10μA, IE=0  
Min  
75  
40  
6
Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC= 10mA, IB=0  
V
IE=10μA.IC=0  
V
VCB= 60V, IE=0  
10  
10  
10  
nA  
nA  
nA  
Collector cut-off current  
ICEX  
VCE= 60V,VEB(off)=3V  
VEB= 3 V, IC=0  
Emitter cut-off current  
IEBO  
*
hFE(1)  
VCE=10V, IC= 0.1mA  
VCE=10V, IC= 1mA  
VCE=10V, IC= 10mA  
VCE=10V, IC= 150mA  
VCE=10V, IC= 500mA  
VCE=1V, IC= 150mA  
IC=150mA, IB= 15mA  
IC=500mA, IB= 50mA  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB= 50mA  
35  
50  
*
hFE(2)  
*
hFE(3)  
75  
DC current gain  
*
hFE(4)  
100  
40  
300  
*
hFE(5)  
*
hFE(6)  
35  
*
VCE(sat)1  
0.3  
1
V
V
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
*
VCE(sat)2  
*
VBE(sat)1  
0.6  
1.2  
2
*
VBE(sat)2  
V
CE=20V, IC= 20mA,  
fT  
300  
MHz  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Cob  
Cib  
VCB=10V, IE=0,f=1MHz  
VEB=0.5V,IC= 0,f=1MHz  
VCE=10V, IC=100μA,  
f=1KHz,Rs=1KΩ  
8
pF  
pF  
25  
Noise Figure  
NF  
4
dB  
*pulse test  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.0  
1234

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