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MMDT2222ATB6T/R13

更新时间： 2024-11-19 10:51:59

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	184K
描述
DUAL SURFACE MOUNT NPN TRANSISTORS

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MMDT2222ATB6T/R13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
最大关闭时间（toff）：	285 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

MMDT2222ATB6T/R13 数据手册

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MMDT2222ATB6

DUAL SURFACE MOUNT NPN TRANSISTORS

This device contains two electrically-isolated 2N2222A NPN transistors.

The two transistors have well matched hFE and are encapsulated in an

ultra-small SOT-563 package. This device is ideal for portable

applications where board space is at a premium.

FEATURES

Electrically Isolated Dual NPN Switching Transistor

In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

APPLICATIONS

General Purpose Amplifier Applications

Hand-Held Computers, PDAs

Device Marking Code: TU

T = 25°C Unless otherwise noted

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Units

Collector-Base Voltage

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

CEO

6.0

EBO

Collector Current

600

200

Total Power Dissipation (Note 1)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

-55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Characteristic

Value

625

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

thja

Note 1. FR-4 board 60 x 70 x 1mm with minimum recommended pad layout

1/19/2009

www.panjit.com

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