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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMDT2222A-TP
MMDT2222A-TP PDF预览

MMDT2222A-TP

更新时间： 2024-11-19 05:49:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 160K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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MMDT2222A-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

MMDT2222A-TP 数据手册

 浏览型号MMDT2222A-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT2222A-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMDT2222A-TP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMDT2222A-TP的Datasheet PDF文件第5页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MMDT2222A  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
•
•
•
Epitaxial Die Construction  
Small Surface Mount Package  
Marking:K1P  
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
•
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
40  
75  
6
0.6  
Unit  
V
V
V
A
W
R/W  
R
SOT-363  
PC  
0.15  
833  
G
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R
E
JA  
C2  
B1  
E1  
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
R
C
B
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
E2  
B2  
C1  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
A
H
40  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=60Vdc, IE=0Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=60Vdc,VEB(OFF)=3Vdc)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=3Vdc, IC=0Vdc)  
Base Cutoff Current  
(VCE=60Vdc,VEB(OFF)=3Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=0.1mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=1mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=10Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=1Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
75  
6
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
10  
10  
10  
20  
Vdc  
Vdc  
M
K
J
D
L
---  
---  
---  
---  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
ICEX  
IEBO  
DIMENSIONS  
IBL  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
hFE  
.006  
.045  
.085  
0.15  
1.15  
2.15  
35  
50  
75  
100  
40  
35  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
300  
---  
---  
B
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
---  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
VCE(sat)  
L
M
---  
---  
---  
---  
0.3  
1.0  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
0.6  
---  
---  
---  
1.2  
2.0  
www.mccsemi.com  
Revision: 4  
2008/12/31  
1 of 5  
12345

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