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MMDT1901DW

更新时间： 2023-12-06 19:52:37

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数字三极管

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MMDT1901DW 数据手册

MMDT1901DW...MMDT1909DW

Dual NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

For switching and interface circuit and drive circuit applications

Features

• Transistors with built-in bias resistors R1 and R2

TR2

TR1

• Simplification of circuit design

• Reduces number of components and board space

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-363 Plastic Package

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

4.7

R2 (KΩ)

4.7

MMDT1901DW

MMDT1902DW

MMDT1903DW

MMDT1904DW

MMDT1905DW

MMDT1906DW

MMDT1907DW

MMDT1908DW

MMDT1909DW

2.2

4.7

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

V_CBO

V_CEO

MMDT1901DW~1904DW

MMDT1905DW~1906DW

MMDT1907DW

Emitter Base Voltage

V_EBO

MMDT1908DW

MMDT1909DW

Collector Current

I_C

P_tot

T_j

100

200

Total Power Dissipation

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 9

Dated:11/05/2023 Rev: 02

12 3 4 5 6 7...9

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