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MMDF2C03HDR1

更新时间: 2024-01-23 19:45:09
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 220K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 751-05, SOIC-8

MMDF2C03HDR1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.7配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:0.09 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MMDF2C03HDR1 数据手册

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