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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> MMBZ5236ELT1
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MMBZ5236ELT1

更新时间： 2024-11-05 22:20:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 稳压器二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 77K
描述
Zener Voltage Regulators

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MMBZ5236ELT1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.62
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：6 ΩJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：7.5 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压容差：5.07%
工作测试电流：20 mABase Number Matches：1

MMBZ5236ELT1 数据手册

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MMBZ5221ELT1 Series  
Zener Voltage Regulators  
225 mW SOT−23 Surface Mount  
This series of Zener diodes is offered in the convenient, surface  
mount plastic SOT−23 package. These devices are designed to provide  
voltage regulation with minimum space requirement. They are well  
suited for applications such as cellular phones, hand held portables,  
and high density PC boards.  
http://onsemi.com  
Specification Features:  
3
1
Cathode  
Anode  
• 225 mW Rating on FR−4 or FR−5 Board  
• Zener Voltage Range − 2.4 V to 91 V  
• Package Designed for Optimal Automated Board Assembly  
• Small Package Size for High Density Applications  
• ESD Rating of Class 3 (>16 kV) per Human Body Model  
• Peak Power − 225 W (8 x 20 ms)  
3
1
2
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 8  
• Pb−Free Packages are Available  
Mechanical Characteristics:  
CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case  
FINISH: Corrosion resistant finish, easily solderable  
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:  
260°C for 10 Seconds  
MARKING DIAGRAM  
POLARITY: Cathode indicated by polarity band  
FLAMMABILITY RATING: UL 94 V−0  
xxx M  
xxx = Specific Device Code  
MAXIMUM RATINGS  
M
= Date Code  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Peak Power Dissipation @ 20 ms (Note 1)  
P
pk  
225  
W
ORDERING INFORMATION  
@ T ≤ 25°C  
L
†
Total Power Dissipation on FR−5 Board,  
P
D
Device  
MMBZ52xxELT1  
Package  
Shipping  
(Note 2) @ T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
Derated above 25°C  
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
MMBZ52xxELT3* SOT−23 10,000/Tape & Reel  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Total Power Dissipation on Alumina  
Substrate, (Note 3) @ T = 25°C  
Derated above 25°C  
P
D
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
*MMBZ5246EL, and MMBZ5252EL  
Not Available in 10,000/Tape & Reel.  
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to  
+150  
stg  
DEVICE MARKING INFORMATION  
See specific marking information in the device marking  
column of the Electrical Characteristics table on page 2 of  
this data sheet.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
1. Nonrepetitive current pulse per Figure 9.  
2. FR−5 = 1.0 X 0.75 X 0.62 in.  
3. Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024 in., 99.5% alumina.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
January, 2005 − Rev. 4  
MMBZ5221ELT1/D  
 
123456

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MMBZ5236ELT1 替代型号

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