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MMBZ5230BW

更新时间： 2024-02-27 09:37:50

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TYSEMI		二极管测试
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3页	165K
描述
Planar Die Construction

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MMBZ5230BW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.6	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	4.7 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
工作测试电流：	20 mA	Base Number Matches：	1

MMBZ5230BW 数据手册

Product specification

MMBZ5230BW

Features

Planar Die Construction

General Purpose, Medium Current

Ideally Suited for Automated Assembly Processes

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Symbol

V^F

Rating

0.9

Unit

Forward Voltage

@ I^F= 10mA

Power Dissipation *1

P^d

200

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air *1

Operating and Storage Temperature Range

625

T^j, T^STG

-65 to +150

*1. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout

Electrical Characteristics @TA=25 unless otherwise specified

Maximum ZenerImpedance

Maximum Reverse

Leakage Current *1

Zener Voltage Range *1

Type Number

ZZK @ IZK=

Z^ZT@ I^ZT

Vz @I^ZT

I^ZT

I^R

@ V^R

0.25mA

Nom (V)

4.7

Min (V)

4.4 7

Max (V)

4.94

MMBZ5230BW

1900

*1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.

*2. f = 1KHz.

Marking

KG5

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 of 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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