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MMBZ5224BLT1

更新时间： 2024-02-09 23:40:48

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乐山 - LRC		半导体二极管测试
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5页	166K
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MMBZ5224BLT1 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.39
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
膝阻抗最大值：	1400 Ω	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	2.8 V
最大反向电流：	75 µA	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

MMBZ5224BLT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

MMBZ5221BLT1

SERIES

225 mW SOT-23

225mW

Zener Voltage Regulator Diodes

GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL

SERIES IN THIS GROUP

SOT-23

Cathode

Anode

Zener Voltage

Regulator Diodes

MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING

CASE 318–07, STYLE 8

SOT– 23 (TO–236AB)

PLASTIC

PURPOSES: 260°C for 10 seconds

THERMALCHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board*

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P_D

Alumina Substrate,** T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

150

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage Temeprature

**FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.

**Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

R _θJA

T_J, T_stg

J1–1/5

12 3 4 5

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与MMBZ5224BLT1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBZ5224BLT1G	ONSEMI	Zener Voltage Regulators	获取价格
MMBZ5224BLT1T3	MOTOROLA	Zener Diode, 2.8V V(Z), 5%, 0.225W, Silicon, Unidirectional, TO-236AB	获取价格
MMBZ5224BLT3	ONSEMI	Zener Voltage Regulators	获取价格
MMBZ5224BLT3	MOTOROLA	2.8V, 0.225W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318	获取价格
MMBZ5224BLT3G	ONSEMI	Zener Voltage Regulators	获取价格
MMBZ5224BTW	PANJIT	TRIPLE ISOLATED 200mW ZENERS	获取价格