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MMBV105GL

更新时间： 2024-02-02 02:11:31

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乐山 - LRC		二极管变容二极管光电二极管
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2页	55K
描述
Silicon Tuning Diode

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MMBV105GL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.79
标称二极管电容：	23 pF	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-609代码：	e0	最小质量因数：	350
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

MMBV105GL 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Silicon Tuning Diode

MMBV105GLT1

This device is designed in the surface Mount package for

general frequency control and tuning applications.It provides

solid-state reliability in replacement of mechanical

tuning methods.

• Controlled and Uniform Tuning Ration

CASE 318–08, STYLE 8

SOT– 23 (TO–236AB)

ANODE

CATHODE

MAXIMUM RATINGS(EACH DIODE)

Rating

Symbol

V _R

Value

Unit

Vdc

mAdc

Reverse Voltage

200

Forward Current

I _F

Device Dissipation @T _A= 25°C

Derate above 25°C

P _D

225

1.8

mW/°C

°C

Junction Temperature

Storage Temperature Range

DEVICE MARKING

MMBV105GLT1=M4E

T _J

+125

T _stg

–55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T_A=25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage

( I _R=10µAdc)

Symbol

Min

Max

Unit

V _(BR)R

—

Vdc

Reverse Voltage Leakage Current

( V_R=28Vdc)

I _R

—

nAdc

C _T

V_R=25Vdc,f =1.0MHz

C _R

_R=3.0Vdc

C₃/C₂₅

Device Type

f=50MHz

f=1.0MHz

Min

Max

Typ

Min

Max

MMBV105GLT1

1.5

2.8

250

4.0

6.5

MMBV105GLT–1/2

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MMBV105GLT3	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, 30V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PI
MMBV109	LRC	获取价格	Silicon Epicap Diode
MMBV109	MOTOROLA	获取价格	Variable Capacitance Diode, 29pF C(T),
MMBV109L	ONSEMI	获取价格	VHF BAND, 29pF, 30V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
MMBV109L	MOTOROLA	获取价格	Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 29pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt, TO-