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MMBTSC4075W

更新时间： 2023-12-06 20:09:29

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先科 - SWST		晶体管
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MMBTSC4075W 数据手册

MMBTSC4075W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into four groups, O, Y,

G and L, according to its DC current gain

Low Collector Emitter Saturation Voltage

•

Applications

• Switching

• AF Amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

150

Base Current

I_B

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

Dated: 31/08/2022 Rev: 04

1 / 4

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