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MMBTSB1198

更新时间： 2023-12-06 20:10:24

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先科 - SWST		晶体管
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MMBTSB1198 数据手册

MMBTSB1198

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into two groups Q and

R, according to its DC current gain

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Low frequency transistor

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

0.5

Collector Current

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_tot

200

T_j

150

Storage Temperature Range

T_Stg

-55 to +150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 11/07/2022 Rev: 02

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