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MMBTSB1197A

更新时间： 2023-12-06 20:09:20

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSB1197A 数据手册

MMBTSB1197A

PNP Silicon Epitaxial Planar Power Transistor

Features

• High collector current capability

• Excellent DC current gain characteristics

1. Base

2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

3.5

Peak Collector Current, Pulsed

Power Dissipation ¹⁾

-I_CM

P_tot

1.25

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

1 / 5

Dated: 03/03/2022 CL Rev: 01

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