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MMBTSB1197-AH

更新时间： 2024-10-01 14:53:47

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSB1197-AH 数据手册

MMBTSB1197-AH

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Low frequency transistor

The transistor is subdivided into two groups Q and

R according to its DC current gain.

Features

• AEC-Q101 Qualified

1.Base 2.Emitter 3.Collector

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

800

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_Stg

-55 to +150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated : 30/05/2022 Rev:01

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