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MMBTSB1116

更新时间： 2023-12-06 20:10:43

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSB1116 数据手册

MMBTSB1116

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• High collector power dissipation

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

350

Power Dissipation

P_tot

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 15/12/2022 Rev: 02

12 3 4 5

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