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MMBTSB1116

更新时间： 2024-02-15 18:52:15

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平晶微 - PJSEMI		/
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PNP Transistor

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MMBTSB1116 数据手册

MMBTSB1116

PNP Transistor

Features

SOT-23

(TO-236)

⚫

High Collector Power Dissipation.

As Complementary Type of the NPN Transistor

MMBTSD1616 is Recommended.

1.Base 2.Emitter 3.Collector

Marking : L: JCL

K: JCK

U: JCU

Absolute Maximum Ratings

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Value

Unit

-V_CBO

Collector Base Voltage

-V_CEO

Collector Emitter Voltage

-V_EBO

-I_C

Emitter Base Voltage

Collector Current

P_D

350

Power Dissipation

T_J

℃

Junction Temperature

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to 150

www.pingjingsemi.com

1 / 4

Revison：1.0 July-2018

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