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MMBTSB0710A

更新时间： 2024-09-30 14:54:03

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先科 - SWST		晶体管
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MMBTSB0710A 数据手册

MMBTSB0710A

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

500

Peak Collector Current, Pulsed

Power Dissipation

-I_CM

200

P_tot

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 27/07/2023 Rev: 02

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