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MMBTSA812W

更新时间： 2023-12-06 20:08:58

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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MMBTSA812W 数据手册

MMBTSA812W

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• The transistor is subdivided into four groups O, Y,

G and L, according to its DC current gain

Applications

• For audio frequency, general purpose amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

℃

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

Dated: 22/03/2023 Rev: 02

12 3 4 5

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