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MMBTRC109SS

更新时间： 2024-11-03 14:54:55

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数字三极管

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MMBTRC109SS 数据手册

MMBTRC107SS~MMBTRC109SS

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Features

Collector

(Output)

• With built-in bias resistors

Base

(Input)

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

1. Base 2. Emitter 3. Collector

SOT-23 Plastic Package

Applications

• For switching and interface circuit and drive circuit

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMBTRC107SS

MMBTRC108SS

MMBTRC109SS

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 ℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

V_CEO

30, -6

40, -7

40, -15

100

MMBTRC107SS

MMBTRC108SS

MMBTRC109SS

Input Voltage

V_I

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

T_j

150

℃

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 6

Dated: 12/04/2023 Rev: 03

12 3 4 5 6

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