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MMBTRA301E

更新时间： 2023-12-06 19:52:58

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数字三极管

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MMBTRA301E 数据手册

MMBTRA301E…MMBTRA306E

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors

For switching and interface circuit and drive circuit applications

Collector

(Output)

Features

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Base

(Input)

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

4.7

R2 (KΩ)

4.7

MMBTRA301E

MMBTRA302E

MMBTRA303E

MMBTRA304E

MMBTRA305E

MMBTRA306E

2.2

4.7

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

-V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

-V_CEO

20, -10

30, -10

40, -10

12, -5

20, -5

100

MMBTRA301E

MMBTRA302E

MMBTRA303E

MMBTRA304E

MMBTRA305E

MMBTRA306E

Emitter Base Voltage

-V_EBO

Collector Current

-I_C

P_tot

T_j

Total Power Dissipation

Junction Temperature

100

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

Symbol

R_θJA

Max.

1250

Unit

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 9

Dated : 11/04/2022 Rev:02

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