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MMBTRA223SS

更新时间： 2023-12-06 19:59:59

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数字三极管

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MMBTRA223SS 数据手册

MMBTRA221SS...MMBTRA226SS

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors

For high current switching, interface circuit and driver

circuit application.

Collector

(Output)

Base

(Input)

Feature

• With built-in bias resistor

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing

Process

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

Emitter

(Common)

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMBTRA221SS

MMBTRA222SS

MMBTRA223SS

MMBTRA224SS

MMBTRA225SS

MMBTRA226SS

2.2

4.7

2.2

4.7

2.2

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

-V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

-V_CEO

MMBTRA221SS

MMBTRA222SS

MMBTRA223SS

MMBTRA224SS

MMBTRA225SS

MMBTRA226SS

10, -10

12, -10

20, -10

30, -10

10, -5

12, -6

300

Input Voltage

V_I

Collector Current, tp=1ms

Total Power Dissipation

Junction Temperature

-I_C

P_tot

T_j

200

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated : 02/12/2022 Rev:02

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